三星宣布3nm芯片成功流片,規?;慨a時間節點臨近

EDA/PCB 時間:2021-06-30來源:網易科技

  6月29日消息,據外媒報道,三星宣布,3nm制程技術已經正式流片。據介紹,三星的3nm制程采用的是GAA架構,性能優于臺積電的3nm FinFET架構。

  報道稱,三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的,目的在于加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構,而是采用GAA的結構。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

關鍵詞: 芯片 3mm 三星

加入微信
獲取電子行業最新資訊
搜索微信公眾號:電子產品世界

或用微信掃描左側二維碼

相關文章


用戶評論

請文明上網,做現代文明人
驗證碼:
查看電腦版
97超碰中文字幕久久精品_美女国产诱a惑v在线观看_四虎免费在线观看_中文字幕亚洲第一页乱码